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IRF840L, SiHF840L
Vishay Siliconix
R D
V DS
8.0
R g
V GS
D.U.T.
+
- V DD
10 V
6.0
4.0
2.0
Pulse width ≤ 1 μs
Duty factor ≤ 0.1 %
Fig. 10a - Switching Time Test Circuit
V DS
90 %
0.0
25
50
75
100
125
150
91069_09
T C , Case Temperature (°C)
10 %
V GS
t d(on)
t r
t d(off) t f
Fig. 9 - Maximum Drain Current vs. Case Temperature
10
1
D = 0.5
0.2
0.1 0.1
0.05
Fig. 10b - Switching Time Waveforms
P DM
10 -2
0.02
0.01
Single Pulse
(Thermal Response)
t 1
t 2
Notes:
1. Duty Factor, D = t 1 /t 2
10 -3
2. Peak T j = P DM x Z thJC + T C
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
0.1
1
10
10 2
91069_11
t 1 , Rectangular Pulse Duration (S)
Fig. 11 - Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
L
Vary t p to obtain
required I AS
V DS
t p
V DS
V DD
R g
D.U.T.
I AS
+
-
V DD
V DS
10 V
t p
0.01 W
I AS
Fig. 12a - Unclamped Inductive Test Circuit
Document Number: 91069
S10-2554-Rev. B, 08-Nov-10
Fig. 12b - Unclamped Inductive Waveforms
www.vishay.com
5
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